Ֆիզիկոսները գրաֆենային տրանզիստորների տեխնոլոգիա են մշակել, որով մոտ ապագայում նանոհաստության չիպեր կարտադրվեն

Ամերիկյան ֆիզիկոսները մեծ քայլ են կատարել տարածական գրաֆենային էլեկտրոնային սարքեր ստեղծելու ոլորտում` կարողանալով մեկուսիչի շերտեր նստեցնել «նոբելյան» ածխածնի թիթեղի կամայական հատվածներում, որի շնորհիվ նրանք կարողացել են գերբարակ` նանոհաստության տրանզիստորներ ստեղծել` գրաֆենից: Այս մասին հոդված է հրապարակվել Nature Nanotechnology ամասգրում:

Իր ստեղծման պահից, երբ 2004թ. ռուս-բրիտանական գիտնականներ Անդրեյ Գեյմը և Կոնստանտին Նովոսելովը հնարեցին գրաֆենը, գիտնականները փորձում են այդ հեղափոխական նյութը հարմարեցնել էլեկտրատեխնիկայի ստեղծման համար:

Սակայն խնդիրները` հոսանքի արտահոսքի բարձր չափերը, գրաֆենի հետ աշխատանքի բարդությունները և հիմք-մեկուսիչի նստեցման բարդությունները ֆիզիկոսներին խանգարում են տրանզիստորներ ստեղծել, որոնք հարմարեցված կլինեն արդյունաբերական արտադրության համար:

ԱՄՆ Հյուսթոնի Ռայսի համալսարանի գիտնականները` Պուլիկել Աջայանի ղեկավարությամբ, որոշել են լուծել այդ խնդիրը: Նրանք սովորել են մեկուսիչ նյութից կամայական «նախշեր» նկարել գրաֆենի թիթեղի վրա լազերի միջոցով:

Աջայանի տեխնոլոգիայով, սկզբում մեկուսիչ տակդիրն է պատրաստվում: Այդ նպատակով բարակ մետաղյա նանոթիթեղի վրա գիտնականները մեկուսիչի` բորի նիտրիտի մոլեկուլներ են նստեցնում և այդ «բուտերբրոդի» որոշ հատվածների վրա հատուկ պոլիմեր են նստեցնում: Դրանից հետո, ֆիզիկոսները «կտրում» են պոլիմերից զերծ հատվածները լազերի օգնությամբ, հանում են պաշտպանիչ շերտը և անմիջապես դրա վրա գրաֆենի շերտ են աճեցնում:

Ինչպես նշում են գիտնականները, տվյալ կոնստրուկցիան բոլոր անհրաժեշտ ունակությունները ունի, որ դրանով ապագայում տրանզիստորներ ստեղծվեն:

Որպես իրենց խոսքերի ապացույց ԱՄՆ գիտնականները մի քանի «տափակ» տրանզիստոր են պատրաստել 100 նանոմետր չափերով, որոնց իրենց սիլիկոնային նմանակներին ոչնչով չեն զիջում:

Բացի այդ, Աջայանը և իր գործընկերները նշում են, որ իրենց տեխնոլոգիան ամբողջությամն համատեղելի է միկրոէլեկտրոնիկայի արտադրության ժամանակակից մեթոդների հետ: Այդիսկ պատճառով, մոտ ապագայում հնարավոր կլինի նման տեխնոլոգիայիվ նանոհաստության միկրոչիպեր ստեղծել: